RE理論分析之干擾源

轉(zhuǎn)自公眾號：電磁兼容EMC

前言

RE實(shí)驗(yàn)是EMC實(shí)驗(yàn)中非常容易出問題的一類實(shí)驗(yàn)，幾乎每一款產(chǎn)品都會存在輻射超標(biāo)的問題，而RE實(shí)驗(yàn)的整改也往往是非常耗費(fèi)時間的，沒有一個清晰的，系統(tǒng)性的整改思路，往往會使問題反反復(fù)復(fù)。下面介紹一些理論知識及分析方法。

電磁干擾問題包含三要素，即干擾源，干擾路徑和敏感設(shè)備。在RE測試中，接收機(jī)就是敏感設(shè)備，接收測試樣件內(nèi)部產(chǎn)生的并且由空間（干擾路徑）輻射出來的電磁波，再參考相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)來判斷是否通過試驗(yàn)。分析輻射發(fā)射問題可以從三要素角度分析，去掉其中一個要素就可以解決輻射發(fā)射的問題。今天主要介紹干擾源。

1．輻射是如何產(chǎn)生的？

產(chǎn)生電磁輻射的兩個必要條件是時變驅(qū)動源和天線。

由奧斯特實(shí)驗(yàn)可知，磁場是由電流產(chǎn)生的，通電導(dǎo)線周圍會產(chǎn)生磁場，磁場正比于電流，反比于離開導(dǎo)體的距離且磁場方向與電流方向有關(guān)。所以需要注意的是輻射發(fā)射中的時變驅(qū)動源指的是時變電流源，電流可以產(chǎn)生磁場，而電壓不能。

按照麥克斯韋的電磁場理論,變化的電場產(chǎn)生磁場，周期性變化的電場產(chǎn)生同頻率的周期性變化的磁場。變化的電場和磁場總是相互聯(lián)系的,形成一個不可分離的統(tǒng)一的場，這就是電磁場；電磁場由近及遠(yuǎn)地傳播，就形成電磁波。電磁波具有3個基本量：幅值、頻率和相位。

電磁波的傳播速度是光速，C=λf，C=3*10⁸m/s，f為頻率，單位Hz, λ指波長，單位是m。

在低頻的電磁振蕩中，電磁之間的相互作用比較緩慢，其能量幾乎全部返回原電路而沒有輻射出去；在高頻的電磁振蕩中，電磁互變很快，能量不可能全部返回原振蕩電路，于是電能和磁能隨著電場和磁場的周期變化會以電磁波的形式向空間傳播出去，這就是一種輻射。

根據(jù)天線理論，當(dāng)天線的長度與波長相當(dāng)，則更容易產(chǎn)生電磁波。例如：數(shù)米長的電源線，會產(chǎn)生30-300MHz的輻射，在30MHz以下頻帶，因波長較長，當(dāng)電源線中流過同樣的電流，也不會產(chǎn)生輻射太強(qiáng)的電磁波，故30MHz以下頻帶都是傳導(dǎo)干擾。

總之，當(dāng)設(shè)備的導(dǎo)線長度比波長短時，也就是驅(qū)動電流是低頻電流時，主要問題是傳導(dǎo)干擾，當(dāng)設(shè)備的導(dǎo)線長度比波長長時，也就是驅(qū)動電流是高頻時，主要問題的輻射問題。

2.輻射中的兩種天線

2.1 環(huán)等效天線

在RE測試中，測試的實(shí)質(zhì)就是測試產(chǎn)品中兩種等效天線所產(chǎn)生的輻射信號，第一種等效天線是由信號環(huán)路等效的環(huán)天線，環(huán)路是產(chǎn)生輻射的等效天線，輻射產(chǎn)生的源頭是環(huán)路中流動的電流信號，這種信號通常是正常工作信號，它是一種差模信號，如時鐘信號。當(dāng)環(huán)路中的信號是交變的，變化的電場產(chǎn)生磁場，那么信號所在的環(huán)路就會產(chǎn)生輻射，這種輻射也叫差模輻射，PCB上的很多電流環(huán)都可以構(gòu)成這種輻射，也叫PCB的差模輻射。如果在環(huán)路面積為S的環(huán)路中流動著電流強(qiáng)度為I，頻率為F的信號，那么在自由空間中，距離環(huán)路D處所產(chǎn)生的輻射強(qiáng)度為：

                                  E=1.3SIF²/D

上式中，E為電場強(qiáng)度，單位uV/m；S為環(huán)路面積，單位為cm²；I為電流強(qiáng)度，單位為A；F為信號頻率也叫電流頻率，單位為MHz；D為距離，單位為m。產(chǎn)生的輻射大小與信號的頻率，電流強(qiáng)度，環(huán)路面積以及距離環(huán)路的距離有關(guān)。

注意：這里的電流是指信號的工作電流，如果要求n次諧波的輻射，電流要用n次諧波的電流，n次諧波的電流為：In=0.45*I/n。

控制方法：

1.在不影響信號完整性的情況下，盡量采用小電流驅(qū)動；

2. 信號頻率的影響較大，盡量調(diào)低；

3. 控制高頻電流的環(huán)路面積，特別是DCDC部分，輸出電流較大，可采用調(diào)頻DCDC，講頻率倍頻點(diǎn)，調(diào)節(jié)出測試范圍，根據(jù)實(shí)際情況而定；

4. 優(yōu)化地平面，控制信號回流路徑，減小環(huán)路面積。

對于差模干擾，一般最常見的情況就是DCDC電路，設(shè)計(jì)時要注意控制頻率，大電流環(huán)路。

2.2 案例分析一

舉個例子：某產(chǎn)品，標(biāo)準(zhǔn)要求過class4標(biāo)準(zhǔn)，RE測試時，屏幕背光的DCDC輻射超標(biāo)，開關(guān)頻率為2.1MHz，可以看到，周期性的毛刺疊加在輻射較高的包絡(luò)上，疊加后超過限值，展開波形可以發(fā)現(xiàn)，周期性的高頻信號頻率恰好是2.1MHz，實(shí)測結(jié)果如下圖：

整改前

由 E=1.3SIF²/D可以看出，頻率的影響最大，降低開關(guān)頻率為400KHz后，疊加在包絡(luò)上的周期性信號消失，超標(biāo)點(diǎn)合格如下圖：

整改后

2.3 單極或偶極等效天線

第二類等效天線是單極天線或偶極子天線，是由產(chǎn)品中的線纜或其他尺寸較長的導(dǎo)體構(gòu)成。驅(qū)動電流通常是共模電流，是系統(tǒng)的地與接地平面（大地）之間的電壓降造成。此類由共模電流導(dǎo)致的輻射通常稱為共模輻射，如下圖：

在地平面上長度為L的天線，在距離為r的點(diǎn)測到的電場強(qiáng)度為：

當(dāng)F≥30MHz，D≥1m并且L＜λ/2時，

E=0.63fIL/D

當(dāng)L≥λ/2時，

                                E=60*I/D

上式中，電場強(qiáng)度單位為μV/m；頻率f的單位為Hz；電流I單位為A，表示電纜上的共模電流，長度L為電纜長度，單位為m, 距離D的單位為m。產(chǎn)生輻射的大小與頻率，天線長度，共模電流大小有關(guān)。共模電流的大小是關(guān)鍵。

控制方法：

1.減小共模電流，減小地上的驅(qū)動電壓，也就是減小輸出接口處地平面的噪聲，優(yōu)化地平面的設(shè)計(jì)；

2.電纜線束屏蔽，并注意屏蔽層的接地；

3.對外的接口電路采用共模電感或電阻降低共模電流；

4.接口采用去耦電容，分流輸出到線纜上的共模電流；

5.特殊線束的阻抗匹配，比如USB線束；

6.電路設(shè)計(jì)中盡量避免高頻信號干擾到外部的電源線纜，設(shè)計(jì)PCB時高頻與低頻區(qū)域分開；

7.注意連接器的選型，屏蔽線與PCB板的接地良好；

8.合理分配連接器上的接地引腳，提供良好的信號回流路徑，注意連接的引腳間的互感；

9.控制充當(dāng)天線的線束，金屬外殼的長度。

注意：信號電流大小，頻率，測試距離都一致的情況下，共模輻射要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于差模輻射，差模電流需要比共模電流大1000倍以上才會產(chǎn)生相同的輻射，所以在產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期需要充分考慮共模輻射的影響，重點(diǎn)要減小共模電流。

也就是減少信號地與真正的大地之間的電流，有交變的驅(qū)動電流沒有完全回到信號源端的地，而是從線束泄露到大地上，就會造成嚴(yán)重的輻射現(xiàn)象。

2.4 案例分析二

舉個例子：假設(shè)一產(chǎn)品的架構(gòu)由兩塊PCB，PCB由連接器直接對接，其中主板PCB上接有一條通信線纜，PCB之間的連接器間距2mm，長度2cm，連接器中傳輸?shù)男盘栕罡哳l率25MHz，電平為2.5V，工作電流為25mA。高頻電流流過連接器，在連接器上形成一個0.4的高頻電流環(huán)，如圖所示：

信號頻率25MHz，5倍頻為125MHz，該信號在125MHz處的諧波電流為I5：

I5=0.45*25mA/5=2.25 mA

此環(huán)路在125MHz頻率下，距離環(huán)路3m處產(chǎn)生的差模輻射電場場強(qiáng)為：

E=1.3SIF²/D=1.3*0.4*0.00225*125*125/3=18.2μV/m

轉(zhuǎn)化為分貝值，轉(zhuǎn)化公式為：由dB=20lgV得，dBμV/m=20lgμV/m=20lg18.2=25.20143 dBμV/m。

在這個產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，由環(huán)路導(dǎo)致的差模輻射為25.2 dBμV/m，其實(shí)除了差模輻射外，這個產(chǎn)品還有共模輻射產(chǎn)生，PCB1和PCB2之間高速的信號通信時，當(dāng)PCB2上有高速信號25MHz流向PCB1時，GND1上產(chǎn)生一個高速的回流信號流向GND2，所以PCB1和PCB2之間存在一個電位差△U，如圖所示:

△U=I*RL=I*2πFL，F(xiàn)是5倍頻信號的頻率125MHz，L是2cm長的連接器pin針的寄生電感，約為20nH(估算為10nH/cm), I為5次諧波電流I5=2.25mA, RL是電感的等效阻抗，在125MHz頻率下，GND1和GND2之間產(chǎn)生的電壓差:

△U=2πFLI=2*3.14*125MHz*20nH*2.25mA=35mV

△U通過線纜對參考地的等下電阻Zc和GND1對參考地的寄生電容C構(gòu)成了共模電流的回路。在回路中，共模電流流過線纜，當(dāng)線纜長度與信號波長可以相比擬時，就會產(chǎn)生輻射。

假設(shè)GND1的面積為10cm*8cm，GND1到參考地的距離一般為0.8m,寄生電容估算為3pF。

電路板或金屬外殼與參考大地之間的寄生電容，可用如下公式估算：

Ctotal=Cplates+Cintrinsic

Cplates=ε0* S/d

Cintrinsic=4πε0*D

式中：

• Ctotal為總寄生電容，單位為pF；

• Cplates為平面電容，單位為pF；

• Cintrinsic為固有電容，單位為pF；

• ε0 為真空介電常數(shù)，8.85×10（-12方）單位F/m；

• S為金屬板或電路板的表面積，單位為m²；

• d為金屬板或電路板到參考大地之間的間距，單位為m；

• D為金屬板或電路板的等效對角線，單位為m;

對于表面積為S，對角線長度為D的浮地設(shè)備，寄生電容可用下面式子近似計(jì)算：

Cintrinsic=35D

Cplates=9S/d

GND1對參考大地的寄生電容：D=0.128,S=0.1*0.08=0.008，d=0.8m

Cintrinsic=35D=4.48pF

Cplates=9S/d=0.09pF

Ctotal=Cplates+Cintrinsic=4.57pF

線纜對地的阻抗約為150-250Ω之間，它是由電纜的寄生電感Lc和對地的寄生電容Cc決定，其中Lc=1μH/m,Cc=20-50pF/m之間，Zc==150-250Ω。

在125MHz下流過電纜的共模電流為流過GND2對地的寄生電容C的電流：

Icm5=2π*F5*C*△U5=2π*125*4.57*35mV=124.9μA

當(dāng)電纜長度大于信號波長一半時，線纜在自由空間產(chǎn)生的輻射場強(qiáng)為：

E=60*I/D=60* Icm5/D=60*124.9/3=2498μV/m，換算成分貝值為67.95dBμV/m。

該產(chǎn)品設(shè)計(jì)中由124.9μA的共模電流在3米場測試中，經(jīng)由線纜產(chǎn)生的共模輻射遠(yuǎn)遠(yuǎn)要大于產(chǎn)品中的共模輻射，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，需要重點(diǎn)關(guān)注共模電流帶來的影響，降低連接器阻抗和GND1對地的寄生電容是關(guān)鍵，增加連接器接地的pin數(shù)可以降低連接器之間的阻抗。給產(chǎn)品增加金屬外殼可以減小GND1對地的寄生電容。

3 小結(jié)

產(chǎn)品中產(chǎn)生輻射的兩種情況，一種是正常工作的差模信號構(gòu)成環(huán)天線，造成PCB板級的輻射，注意控制信號的頻率，電流大小及環(huán)路面積。第二種就是由地電位差造成的共模電流，當(dāng)外接線纜長度與信號波長相近時會由線纜產(chǎn)生共模輻射，共模輻射相比于差模輻射往往更嚴(yán)重。

在設(shè)計(jì)過程中需要更加注意共模電流的大小，路徑，盡量避免共模電流由線纜泄露，造成嚴(yán)重的輻射。